CY7C1019DV33-10VXI

Infineon Technologies
727-CY1019DV33-10VXI
CY7C1019DV33-10VXI

制造商:

说明:
静态随机存取存储器 1Mb 10ns 3.3V 128Kx8 Fast Async 静态随机存取存储器

寿命周期:
寿命结束:
将过时且制造商将停产。
ECAD模型:
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产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: 静态随机存取存储器
RoHS:  
1 Mbit
128 k x 8
10 ns
100 MHz
Parallel
3.6 V
3 V
60 mA
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
SOJ-32
Tube
商标: Infineon Technologies
存储类型: Volatile
湿度敏感性: Yes
产品类型: SRAM
系列: CY7C1019DV33
工厂包装数量: 1150
子类别: Memory & Data Storage
类型: Asynchronous
单位重量: 2.071 g
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320030
USHTS:
8542320041
JPHTS:
8542320290
KRHTS:
8542311000
TARIC:
8542324500
MXHTS:
8542320299
ECCN:
3A991.b.2.b
原产地分类
原产国:
美国
组装原产国/地区:
中国台湾
扩散国家:
美国
发货时,国家/地区可能会发生变化。

Asynchronous SRAM

Infineon Technologies Asynchronous SRAM comes in a broad range of fast asynchronous and low-power asynchronous SRAM (MoBL™) devices. Designers use Asynchronous SRAMs in various industrial, medical, commercial, automotive, and military applications requiring the highest reliability and performance standards.

库存量: 667

库存:
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最少: 1   倍数: 1
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¥-.--
总价:
¥-.--
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数量 单价
总价
¥45.5955 ¥45.60
¥42.1264 ¥48,445.36
¥42.036 ¥96,682.80

可能的更换

Infineon Technologies CY7C1049G30-10VXI
Infineon Technologies
静态随机存取存储器 CMOS RAM W ECC 4-Mbit