DDB6U75N16W1R IGBT 模块

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 产品 配置 集电极—发射极最大电压 VCEO 集电极—射极饱和电压 在25 C的连续集电极电流 栅极—射极漏泄电流 Pd-功率耗散 最小工作温度 最大工作温度 技术 封装
Infineon Technologies DDB6U75N16W1R
Infineon Technologies IGBT 模块 Bridge Rectifer 1600V 605A 61库存量
¥291.3253
¥234.9157
¥205.8747
最低: 1
倍数: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.85 V 50 A 100 nA 335 W - 40 C + 150 C Si Tray
Infineon Technologies DDB6U75N16W1R_B11
Infineon Technologies IGBT 模块 Bridge Rectifier 1200V 无库存交货期 19 周
¥301.5857
¥218.8697
¥217.299
最低: 1
倍数: 1
Si Tray