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DF1000R17IE4 IGBT 模块

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	产品	配置	集电极—发射极最大电压 VCEO	集电极—射极饱和电压	在25 C的连续集电极电流	栅极—射极漏泄电流	Pd-功率耗散	最小工作温度	最大工作温度	技术	封装
	IGBT 模块 IGBT MODULES 1700V 1000A Infineon Technologies DF1000R17IE4 DF1000R17IE4 Infineon Technologies 2: ¥4,900.7535 无库存交货期 39 周	制造商零件编号 DF1000R17IE4 Mouser 零件编号 641-DF1000R17IE4	Infineon Technologies	IGBT 模块 IGBT MODULES 1700V 1000A	数据表	无库存交货期 39 周	¥4,900.7535 ¥4,820.5235	最低： 2 倍数： 2			IGBT Modules	Single	1.7 kV	2 V	1 kA	400 nA	1 MW	- 40 C	+ 150 C	Si	Tray
	IGBT 模块 1700 V, 1000 A chopper IGBT module Infineon Technologies DF1000R17IE4D_B2 DF1000R17IE4D_B2 Infineon Technologies 1: ¥5,785.9051 2库存量寿命结束	制造商零件编号 DF1000R17IE4D_B2 Mouser 零件编号 641-DF1000R17IE4D_B2 寿命结束	Infineon Technologies	IGBT 模块 1700 V, 1000 A chopper IGBT module	数据表	2库存量	¥5,785.9051 ¥5,091.5879	最低： 1 倍数： 1			IGBT Silicon Modules	Single	1.7 kV	2 V	1 kA	400 nA	6.25 kW	- 40 C	+ 150 C	Si	Tray

DF1000R17IE4 IGBT 模块

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