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DF80R12W2H3F_B11

Name: Infineon DF80R12W2H3F_B11
Brand: Infineon Technologies
SKU: 641-DF80R12W2H3F_B11
Price: 363.66 RMB
Availability: OutOfStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

641-DF80R12W2H3F_B11

制造商编号：

DF80R12W2H3F_B11

制造商：

Infineon Technologies

说明：

IGBT 模块 1200 V, 80 A booster IGBT module

数据表:

DF80R12W2H3F_B11 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	IGBT 模块
RoHS:
REACH - SVHC:
产品:	SiC IGBT Modules
配置:	Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO:	1.2 kV
集电极—射极饱和电压:	1.55 V
在25 C的连续集电极电流:	20 A
栅极—射极漏泄电流:	100 nA
封装 / 箱体:	Module
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 150 C
安装风格:	Press Fit
技术:	SiC
封装:	Tray
商标:	Infineon Technologies
栅极/发射极最大电压:	20 V
产品类型:	IGBT Modules
系列:	High Speed IGBT H3
工厂包装数量:	15
子类别:	Discrete and Power Modules
商标名:	EasyPACK
零件号别名:	SP001602664 DF80R12W2H3FB11BPSA1
单位重量:	73.260 g

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数据表

DF80R12W2H3F_B11 数据表 (PDF)

Product Catalogs

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合规代码

CNHTS:: 8504409190
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 德国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 德国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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