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FCA20N60 MOSFET

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图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	技术	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	商标名	封装
MOSFET HIGH POWER FCA20N60 onsemi 1: ¥57.9803 341库存量寿命结束	制造商零件编号 FCA20N60 Mouser 零件编号 512-FCA20N60 寿命结束	onsemi	MOSFET HIGH POWER	数据表	341库存量	¥57.9803 ¥30.5213 ¥28.702	最低： 1 倍数： 1	Si	Through Hole	TO-3PN-3	N-Channel	1 Channel	600 V	20 A	190 mOhms	30 V			- 55 C	+ 150 C	208 W	Enhancement		Tube
MOSFET 600V N-CH FRFET FCA20N60F onsemi 1: ¥70.8849 323库存量	制造商零件编号 FCA20N60F Mouser 零件编号 512-FCA20N60F	onsemi	MOSFET 600V N-CH FRFET	数据表	323库存量	¥70.8849 ¥46.9854 ¥39.7082 ¥35.821 ¥32.1711	最低： 1 倍数： 1	Si	Through Hole	TO-3PN-3	N-Channel	1 Channel	600 V	20 A	150 mOhms	30 V	3 V	98 nC	- 55 C	+ 150 C	208 W	Enhancement	SuperFET FRFET	Tube
MOSFET 600V N-CH MOSFET FCA20N60-F109 onsemi 1: ¥71.8002 366库存量	制造商零件编号 FCA20N60-F109 Mouser 零件编号 512-FCA20N60_F109	onsemi	MOSFET 600V N-CH MOSFET	数据表	366库存量	¥71.8002 ¥50.5449 ¥40.8608 ¥36.3069 ¥32.1711	最低： 1 倍数： 1	Si	Through Hole	TO-3PN-3	N-Channel	1 Channel	600 V	20 A	190 mOhms	30 V			- 55 C	+ 150 C	208 W	Enhancement		Tube

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