FCH150N65F MOSFET

结果: 7
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 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
商标名
封装

onsemi MOSFET N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET
数据表
227库存量
¥62.8619
¥33.335
¥31.6852
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 150 mOhms 20 V 5 V 72 nC - 55 C + 150 C 298 W Enhancement SuperFET II FRFET Tube

onsemi MOSFET SuperFET2 650V, 77 mOhm, FRFET
数据表
1,282库存量
¥103.5645
¥77.179
¥64.2744
¥57.3249
¥54.1835
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 54 A 68 mOhms 30 V 5 V 126 nC - 55 C + 150 C 481 W Enhancement SuperFET II Tube

onsemi MOSFET 650V N-Channel SuperFET II MOSFET
数据表
888库存量
¥113.565
¥84.6144
¥70.4781
¥62.7828
¥59.4719
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 54 A 184 mOhms 20 V 3 V 126 nC - 55 C + 150 C 481 W Enhancement AEC-Q101 SuperFET II Tube

onsemi MOSFET 600V N-Channel MOSFET
数据表
364库存量
¥140.8658
¥107.2822
¥89.3378
最低： 1
倍数： 1
最大： 450
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 47 A 58 mOhms 30 V 5 V 270 nC - 55 C + 150 C 417 W Enhancement Tube

onsemi MOSFET 650V N-Channel SuperFET II MOSFET
数据表
358库存量
¥159.7255
¥121.6784
¥101.3271
¥90.2418
¥85.5297
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 76 A 96 mOhms 20 V 3 V 234 nC - 55 C + 150 C 595 W Enhancement AEC-Q101 SuperFET II Tube

onsemi MOSFET 650V N-Channel SuperFET II MOSFET
数据表
85库存量
¥66.4214
¥44.4994
¥32.3406
¥29.1201
¥28.0353
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20.6 A 401 mOhms 20 V 3 V 63 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement AEC-Q101 SuperFET II Tube

onsemi MOSFET SuperFET2 650V, 44 mOhm, FRFET
数据表
144库存量
¥103.9713
¥75.1902
¥62.7037
¥55.7542
¥52.1947
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 76 A 41 mOhms 20 V 5 V 226 nC - 55 C + 150 C 595 W Enhancement SuperFET II Tube