FCP165N65S3 MOSFET

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 封装

onsemi MOSFET SUPERFET3 650V 19A 165 mOhm 769库存量
¥48.8047
¥31.9338
¥23.4927
¥20.8485
¥18.6902
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 19 A 165 mOhms 30 V 2.5 V 39 nC - 55 C + 150 C 154 W Enhancement Tube

onsemi MOSFET SUPERFET3 650V TO220 PKG 786库存量
¥48.6352
¥31.8434
¥23.8204
¥22.826
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 19 A 165 mOhms 30 V 2.5 V 39 nC - 55 C + 150 C 154 W Enhancement Tube