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FD200R12KE3 IGBT 模块

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	产品	配置	集电极—发射极最大电压 VCEO	集电极—射极饱和电压	在25 C的连续集电极电流	栅极—射极漏泄电流	Pd-功率耗散	封装 / 箱体	最小工作温度	最大工作温度	安装风格	技术	封装
	IGBT 模块 1200 V, 200 A chopper IGBT module Infineon Technologies FD200R12KE3 FD200R12KE3 Infineon Technologies 1: ¥1,170.0133 205库存量 30预期 2026/11/20	制造商零件编号 FD200R12KE3 Mouser 零件编号 641-FD200R12KE3	Infineon Technologies	IGBT 模块 1200 V, 200 A chopper IGBT module	数据表	205库存量 30预期 2026/11/20	¥1,170.0133 ¥1,117.1632	最低： 1 倍数： 1			IGBT Silicon Modules	Single	1.2 kV	1.7 V	295 A	400 nA	1.05 kW	IS5a ( 62 mm )-5	- 40 C	+ 125 C	Screw Mount	Si	Tray
	IGBT 模块 1200 V, 200 A chopper IGBT module FD200R12KE3PHOSA1 Infineon Technologies 8: ¥1,217.1682 无库存交货期 30 周	制造商零件编号 FD200R12KE3PHOSA1 Mouser 零件编号 726-FD200R12KE3PHOSA	Infineon Technologies	IGBT 模块 1200 V, 200 A chopper IGBT module	数据表	无库存交货期 30 周	¥1,217.1682	最低： 8 倍数： 8															Tray

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