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FDP030N06 MOSFET

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	商标名	封装
	MOSFET NCH 60V 3.0Mohm FDP030N06 onsemi 1: ¥45.3243 508库存量寿命结束	制造商零件编号 FDP030N06 Mouser 零件编号 512-FDP030N06 寿命结束	onsemi	MOSFET NCH 60V 3.0Mohm	数据表	508库存量	¥45.3243 ¥23.8204 ¥21.6734 ¥20.4304	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	60 V	193 A	3.2 mOhms	20 V	2.5 V	151 nC	- 55 C	+ 175 C	231 W	Enhancement	PowerTrench	Tube
	MOSFET N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 195A, 3.1mO FDP030N06B-F102 onsemi 1: ¥31.0976 2,905库存量	制造商零件编号 FDP030N06B-F102 Mouser 零件编号 512-FDP030N06B_F102	onsemi	MOSFET N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 195A, 3.1mO	数据表	2,905库存量	¥31.0976 ¥20.2609 ¥14.2267 ¥11.9102	最低： 1 倍数： 1 最大： 800			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	60 V	195 A	2.67 mOhms	20 V	4 V	76 nC	- 55 C	+ 175 C	205 W	Enhancement	PowerTrench	Tube

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