FDP16AN08A0 MOSFET

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装

onsemi MOSFET 75V 58a 0.016 Ohms/VGS=10V 11库存量
800预期 2027/1/26
¥27.0974
¥17.4585
¥11.9893
¥9.7293
¥9.0287
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 75 V 58 A 13 mOhms 20 V 2 V 42 nC - 55 C + 175 C 135 W Enhancement PowerTrench Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 75 Volt 80 Amp 127库存量
4,000预期 2027/3/19
¥33.335
¥18.2834
¥15.6279
¥12.4865
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 75 V 80 A 11 mOhms 20 V 2 V 117 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement STripFET Tube