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FDP3632 MOSFET

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	商标名	封装
	MOSFET 100V 80a .9 Ohms/VGS=1V FDP3632 onsemi 1: ¥48.816 650预期 2026/10/26 NRND	制造商零件编号 FDP3632 Mouser 零件编号 512-FDP3632 NRND	onsemi	MOSFET 100V 80a .9 Ohms/VGS=1V	数据表	650预期 2026/10/26	¥48.816 ¥31.9677 ¥23.7978 ¥19.9784	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	100 V	80 A	7.5 mOhms	20 V	4 V	84 nC	- 55 C	+ 175 C	310 W	Enhancement	PowerTrench	Tube
	MOSFET N-Ch 100 Volt 120A STripFET II 110A STP120NF10 STMicroelectronics 1: ¥31.2671 1,848库存量 3,000预期 2027/4/16 寿命结束	制造商零件编号 STP120NF10 Mouser 零件编号 511-STP120NF10 寿命结束	STMicroelectronics	MOSFET N-Ch 100 Volt 120A STripFET II 110A	数据表	1,848库存量 3,000预期 2027/4/16	¥31.2671 ¥20.3513 ¥14.803 ¥12.4074 查看 ¥11.4921 ¥10.8367	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	100 V	120 A	10.5 mOhms	20 V	2 V	233 nC	- 55 C	+ 175 C	312 W	Enhancement	STripFET	Tube

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