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FDP3652 MOSFET

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	商标名	封装
	MOSFET 100V 61a 0.016 Ohm FDP3652 onsemi 1: ¥26.3968 800在途量 NRND	制造商零件编号 FDP3652 Mouser 零件编号 512-FDP3652 NRND	onsemi	MOSFET 100V 61a 0.016 Ohm	数据表	800在途量	¥26.3968 ¥17.0291 ¥11.639 ¥9.4694 ¥8.7688	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	100 V	61 A	14 mOhms	20 V	4 V	41 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement	PowerTrench	Tube
	MOSFET N-Ch 100 Volt 80 Amp STP80NF10 STMicroelectronics 1: ¥33.335 1,673库存量	制造商零件编号 STP80NF10 Mouser 零件编号 511-STP80NF10	STMicroelectronics	MOSFET N-Ch 100 Volt 80 Amp 了解更多关于STMicroelectronics stm standard products 的信息	数据表	1,673库存量	¥33.335 ¥16.9613 ¥15.3002 ¥12.5769 查看 ¥12.4865 ¥11.9102	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	100 V	80 A	15 mOhms	20 V	2 V	135 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	STripFET	Tube

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