.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

FDPF15N65 MOSFET

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

结果: 2

已应用过滤器:

制造商

Rds On-漏源导通电阻

Vgs - 栅极-源极电压

Qg-栅极电荷

Pd-功率耗散

商标名

重置所有

在结果中搜索

库存量

正常库存

在售

新产品

符合RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	商标名	封装
	MOSFET 650V 15A 0.44OHMS NCH POWER TRENCH FDPF15N65 onsemi 1: ¥38.1375 3,504库存量	制造商零件编号 FDPF15N65 Mouser 零件编号 512-FDPF15N65	onsemi	MOSFET 650V 15A 0.44OHMS NCH POWER TRENCH	数据表	3,504库存量	¥38.1375 ¥24.9843 ¥18.532 ¥15.5488 查看 ¥14.3962 ¥13.6504	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	7 A	440 mOhms	30 V	3 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	38.5 W	Enhancement		Tube
	MOSFET N-Ch 650V 0.56 Ohm 7A MDmesh M5 PWR MO STF8N65M5 STMicroelectronics 1,000: ¥10.7576 无库存交货期 36 周	制造商零件编号 STF8N65M5 Mouser 零件编号 511-STF8N65M5	STMicroelectronics	MOSFET N-Ch 650V 0.56 Ohm 7A MDmesh M5 PWR MO 了解更多关于STMicroelectronics stmicromdmeshv 的信息	数据表	无库存交货期 36 周	¥10.7576 ¥10.4186 ¥10.0118	最低： 1,000 倍数： 1,000			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	7 A	600 mOhms	25 V	3 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	25 W	Enhancement	MDmesh	Tube

FDPF15N65 MOSFET

已应用过滤器:

昴氏(上海)电子贸易有限公司

公司

资源

支持