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FF200R12KE4 IGBT 模块

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	产品	配置	集电极—发射极最大电压 VCEO	集电极—射极饱和电压	在25 C的连续集电极电流	栅极—射极漏泄电流	Pd-功率耗散	封装 / 箱体	最小工作温度	最大工作温度	安装风格	技术	封装
	IGBT 模块 IGBT-MODULE FF200R12KE4 Infineon Technologies 1: ¥948.8384 99库存量 1,230预期 2026/11/13	制造商零件编号 FF200R12KE4 Mouser 零件编号 641-FF200R12KE4	Infineon Technologies	IGBT 模块 IGBT-MODULE	数据表	99库存量 1,230预期 2026/11/13	¥948.8384 ¥853.715	最低： 1 倍数： 1			IGBT Modules	Dual	1.2 kV	1.75 V	240 A	400 nA	1.1 kW	62 mm	- 40 C	+ 150 C	Screw Mount	Si	Tray
	IGBT 模块 1200 V, 200 A dual IGBT module FF200R12KE4PHOSA1 Infineon Technologies 1: ¥1,065.7934 无库存交货期 30 周	制造商零件编号 FF200R12KE4PHOSA1 Mouser 零件编号 726-FF200R12KE4PHOSA	Infineon Technologies	IGBT 模块 1200 V, 200 A dual IGBT module	数据表	无库存交货期 30 周	¥1,065.7934 ¥943.9568	最低： 1 倍数： 1														Si	Tray

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