.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

FF200R12KS4 IGBT 模块

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

结果: 2

已应用过滤器:

配置

集电极—发射极最大电压 VCEO

集电极—射极饱和电压

在25 C的连续集电极电流

栅极—射极漏泄电流

Pd-功率耗散

封装 / 箱体

最小工作温度

最大工作温度

安装风格

重置所有

在结果中搜索

库存量

正常库存

在售

新产品

符合RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	配置	集电极—发射极最大电压 VCEO	集电极—射极饱和电压	在25 C的连续集电极电流	栅极—射极漏泄电流	Pd-功率耗散	封装 / 箱体	最小工作温度	最大工作温度	安装风格	技术	封装
	IGBT 模块 1200V 200A DUAL Infineon Technologies FF200R12KS4 FF200R12KS4 Infineon Technologies 1: ¥1,253.9723 118库存量	制造商零件编号 FF200R12KS4 Mouser 零件编号 641-FF200R12KS4	Infineon Technologies	IGBT 模块 1200V 200A DUAL	数据表	118库存量	¥1,253.9723 ¥1,195.2462	最低： 1 倍数： 1			Dual	1.2 kV	3.2 V	275 A	400 nA	1.4 kW	62 mm	- 40 C	+ 125 C	Screw Mount	Si	Tray
	IGBT 模块 1200 V, 200 A dual IGBT module Infineon Technologies FF200R12KS4PHOSA1 FF200R12KS4PHOSA1 Infineon Technologies 8: ¥1,272.0862 无库存交货期 30 周	制造商零件编号 FF200R12KS4PHOSA1 Mouser 零件编号 726-FF200R12KS4PHOSA	Infineon Technologies	IGBT 模块 1200 V, 200 A dual IGBT module	数据表	无库存交货期 30 周	¥1,272.0862	最低： 8 倍数： 8													Si	Tray

FF200R12KS4 IGBT 模块

已应用过滤器:

昴氏(上海)电子贸易有限公司

公司

资源

支持