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FF200R12KT3 IGBT 模块

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	产品	配置	集电极—发射极最大电压 VCEO	集电极—射极饱和电压	在25 C的连续集电极电流	栅极—射极漏泄电流	Pd-功率耗散	封装 / 箱体	最小工作温度	最大工作温度	安装风格	技术	封装
	IGBT 模块 N-CH 1.2KV 295A Infineon Technologies FF200R12KT3 FF200R12KT3 Infineon Technologies 1: ¥1,412.2062 无库存交货期 30 周 NRND	制造商零件编号 FF200R12KT3 Mouser 零件编号 641-FF200R12KT3 NRND	Infineon Technologies	IGBT 模块 N-CH 1.2KV 295A	数据表	无库存交货期 30 周	¥1,412.2062 ¥1,394.3409	最低： 1 倍数： 1				Dual	1.2 kV	1.7 V	295 A	400 nA	1.05 kW	62 mm	- 40 C	+ 125 C	Screw Mount	Si	Tray
	IGBT 模块 IGBT 1200V 200A Infineon Technologies FF200R12KT3_E FF200R12KT3_E Infineon Technologies 10: ¥1,481.6899 无库存交货期 30 周 NRND	制造商零件编号 FF200R12KT3_E Mouser 零件编号 641-FF200R12KT3_E NRND	Infineon Technologies	IGBT 模块 IGBT 1200V 200A	数据表	无库存交货期 30 周	¥1,481.6899	最低： 10 倍数： 10			IGBT Modules	Dual	1.2 kV	1.7 V	295 A	400 nA	1.05 kW		- 40 C	+ 125 C		Si	Tray

FF200R12KT3 IGBT 模块

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