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FF225R12ME4P IGBT 模块

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图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	产品	配置	集电极—发射极最大电压 VCEO	集电极—射极饱和电压	在25 C的连续集电极电流	栅极—射极漏泄电流	Pd-功率耗散	封装 / 箱体	最小工作温度	最大工作温度	安装风格	技术	封装
IGBT 模块 MEDIUM POWER ECONO Infineon Technologies FF225R12ME4P FF225R12ME4P Infineon Technologies	制造商零件编号 FF225R12ME4P Mouser 零件编号未分配	Infineon Technologies	IGBT 模块 MEDIUM POWER ECONO	数据表	N/A		无库存，请致电询价												Si	Tray
IGBT 模块 1200 V, 225 A dual IGBT module FF225R12ME4PBPSA1 Infineon Technologies 6: ¥1,091.7721 无库存交货期 24 周	制造商零件编号 FF225R12ME4PBPSA1 Mouser 零件编号 726-FF225R12ME4PBPSA	Infineon Technologies	IGBT 模块 1200 V, 225 A dual IGBT module 了解更多关于Infineon Technologies infineon econodual 3 econo modules 的信息	数据表	无库存交货期 24 周	¥1,091.7721 ¥1,012.7738	最低： 6 倍数： 6	IGBT Silicon Modules	Dual	1.2 kV	1.85 V	225 A	400 nA		Module	- 40 C	+ 150 C	Screw Mount	Si	Tray
IGBT 模块 1200 V, 225 A dual IGBT module FF225R12ME4PB11BPSA1 Infineon Technologies 6: ¥1,221.304 无库存交货期 24 周	制造商零件编号 FF225R12ME4PB11BPSA1 Mouser 零件编号 726-FF225R12ME4PB11B	Infineon Technologies	IGBT 模块 1200 V, 225 A dual IGBT module 了解更多关于Infineon Technologies infineon econodual 3 econo modules 的信息	数据表	无库存交货期 24 周	¥1,221.304 ¥1,027.3282	最低： 6 倍数： 6	IGBT Silicon Modules	Dual	1.2 kV	1.85 V	225 A	400 nA	20 mW	152 mm x 62.5 mm x 20.5 mm	- 40 C	+ 150 C	Press Fit	Si	Tray

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