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FF450R12KE4 IGBT 模块

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图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	产品	配置	集电极—发射极最大电压 VCEO	集电极—射极饱和电压	在25 C的连续集电极电流	栅极—射极漏泄电流	Pd-功率耗散	封装 / 箱体	最小工作温度	最大工作温度	安装风格	技术	封装
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 520A FF450R12KE4 Infineon Technologies 1: ¥1,329.6597 184库存量	制造商零件编号 FF450R12KE4 Mouser 零件编号 641-FF450R12KE4	Infineon Technologies	IGBT 模块 N-CH 1.2KV 520A	数据表	184库存量	¥1,329.6597 ¥1,299.0593	最低： 1 倍数： 1	IGBT Silicon Modules	Dual	1.2 kV	2.15 V	520 A	400 nA	2.4 kW	62 mm	- 40 C	+ 150 C	Screw Mount	Si	Tray
IGBT 模块 1200 V, 450 A common emitter IGBT module Infineon Technologies FF450R12KE4_E FF450R12KE4_E Infineon Technologies 1: ¥1,322.4616 14库存量	制造商零件编号 FF450R12KE4_E Mouser 零件编号 641-FF450R12KE4_E	Infineon Technologies	IGBT 模块 1200 V, 450 A common emitter IGBT module	数据表	14库存量	¥1,322.4616 ¥1,299.0593	最低： 1 倍数： 1	IGBT Silicon Modules	Dual	1.2 kV	2.15 V	520 A	400 nA	2.4 kW		- 40 C	+ 150 C		Si	Tray
IGBT 模块 1200 V, 450 A dual IGBT module FF450R12KE4PHOSA1 Infineon Technologies 8: ¥1,406.2511 无库存交货期 30 周	制造商零件编号 FF450R12KE4PHOSA1 Mouser 零件编号 726-FF450R12KE4PHOSA	Infineon Technologies	IGBT 模块 1200 V, 450 A dual IGBT module	数据表	无库存交货期 30 周	¥1,406.2511	最低： 8 倍数： 8												Si	Tray

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