FF450R12KT4 IGBT 模块

结果: 2
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 产品
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
在25 C的连续集电极电流
栅极—射极漏泄电流
Pd-功率耗散
封装 / 箱体
最小工作温度
最大工作温度
安装风格
技术
封装
Infineon Technologies IGBT 模块 N-CH 1.2KV 580A
数据表
605在途量
¥1,344.4627
¥1,297.6468
最低： 1
倍数： 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 2.1 V 580 A 400 nA 2.4 kW 62 mm - 40 C + 150 C Screw Mount Si Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 450 A dual IGBT module
数据表
无库存交货期 30 周
¥1,458.7848
最低： 8
倍数： 8
Si Tray