FF500R17KE4 IGBT 模块

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 产品 配置 集电极—发射极最大电压 VCEO 集电极—射极饱和电压 在25 C的连续集电极电流 栅极—射极漏泄电流 最小工作温度 最大工作温度 技术 封装
Infineon Technologies FF500R17KE4
Infineon Technologies IGBT 模块 MEDIUM POWER 62MM N/A
Si Tray
Infineon Technologies FF500R17KE4BOSA1
Infineon Technologies IGBT 模块 1700 V, 500 A dual IGBT module
84在途量
¥1,881.8681
¥1,756.8901
最低: 1
倍数: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 1.95 V 500 A 400 nA - 40 C + 150 C Si Tray