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RoHS

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FF600R12KE4 IGBT 模块

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	产品	配置	集电极—发射极最大电压 VCEO	集电极—射极饱和电压	在25 C的连续集电极电流	栅极—射极漏泄电流	最小工作温度	最大工作温度	技术	封装
	IGBT 模块 MEDIUM POWER 62MM Infineon / IR FF600R12KE4 FF600R12KE4 Infineon / IR	制造商零件编号 FF600R12KE4 Mouser 零件编号未分配	Infineon / IR	IGBT 模块 MEDIUM POWER 62MM	数据表	N/A		无库存，请致电询价											Si	Tray
	IGBT 模块 1200 V, 600 A dual IGBT module FF600R12KE4PBOSA1 Infineon Technologies 1: ¥1,593.526 59库存量	制造商零件编号 FF600R12KE4PBOSA1 Mouser 零件编号 726-FF600R12KE4PBOSA	Infineon Technologies	IGBT 模块 1200 V, 600 A dual IGBT module 了解更多关于Infineon Technologies infineon ff600r12ke4p igbt module 的信息	数据表	59库存量	¥1,593.526	最低： 1 倍数： 1			IGBT Silicon Modules	Dual	1.2 kV	1.75 V	600 A	400 nA	- 40 C	+ 150 C	Si	Tray
	IGBT 模块 1200 V, 600 A dual IGBT module Infineon Technologies FF600R12KE4BOSA1 FF600R12KE4BOSA1 Infineon Technologies 1: ¥1,516.0193 3库存量 40在途量	制造商零件编号 FF600R12KE4BOSA1 Mouser 零件编号 726-FF600R12KE4BOSA1	Infineon Technologies	IGBT 模块 1200 V, 600 A dual IGBT module	数据表	3库存量 40在途量	¥1,516.0193	最低： 1 倍数： 1											Si	Tray
	IGBT 模块 1200 V, 600 A common emitter IGBT module FF600R12KE4EBOSA1 Infineon Technologies 1: ¥1,516.0193 14库存量	制造商零件编号 FF600R12KE4EBOSA1 Mouser 零件编号 726-FF600R12KE4EBOSA	Infineon Technologies	IGBT 模块 1200 V, 600 A common emitter IGBT module	数据表	14库存量	¥1,516.0193	最低： 1 倍数： 1			IGBT Silicon Modules	Dual	1.2 kV	1.75 V	600 A	400 nA	- 40 C	+ 150 C	Si	Tray