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FF600R12ME4-B72 IGBT 模块

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	产品	配置	集电极—发射极最大电压 VCEO	集电极—射极饱和电压	在25 C的连续集电极电流	栅极—射极漏泄电流	Pd-功率耗散	封装 / 箱体	最小工作温度	最大工作温度	安装风格	技术	封装
	IGBT 模块 MEDIUM POWER ECONO FF600R12ME4B72BOSA1 Infineon Technologies 1: ¥1,587.7291 64库存量	制造商零件编号 FF600R12ME4B72BOSA1 Mouser 零件编号 726-FF600R12ME4B72BO	Infineon Technologies	IGBT 模块 MEDIUM POWER ECONO 了解更多关于Infineon Technologies infineon econodual 3 econo modules 的信息	数据表	64库存量	¥1,587.7291	最低： 1 倍数： 1			IGBT Silicon Modules	Dual	1.2 kV	1.75 V	600 A	400 nA		152 mm x 62.5 mm x 20.8 mm	- 40 C	+ 150 C	Through Hole	Si	Tray
	IGBT 模块 MEDIUM POWER ECONO Infineon Technologies FF600R12ME4_B72 FF600R12ME4_B72 Infineon Technologies 受限供货情况	制造商零件编号 FF600R12ME4_B72 Mouser 零件编号未分配受限供货情况	Infineon Technologies	IGBT 模块 MEDIUM POWER ECONO	数据表	N/A		无库存，请致电询价			IGBT Silicon Modules	Half Bridge	1.2 kV	2.1 V	600 A	400 nA	20 mW	152 mm x 62.5 mm x 20.8 mm		+ 150 C	Through Hole	Si	Tray

FF600R12ME4-B72 IGBT 模块

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