.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

FF900R12IP4D IGBT 模块

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	产品	配置	集电极—发射极最大电压 VCEO	集电极—射极饱和电压	在25 C的连续集电极电流	栅极—射极漏泄电流	Pd-功率耗散	封装 / 箱体	最小工作温度	最大工作温度	安装风格	技术	封装
	IGBT 模块 N-CH 1.2KV 900A Infineon Technologies FF900R12IP4D FF900R12IP4D Infineon Technologies 1: ¥5,355.1943 3库存量	制造商零件编号 FF900R12IP4D Mouser 零件编号 641-FF900R12IP4D	Infineon Technologies	IGBT 模块 N-CH 1.2KV 900A	数据表	3库存量	¥5,355.1943	最低： 1 倍数： 1			IGBT Silicon Modules	Dual	1.2 kV	1.7 V	900 A	400 nA	5.1 kW	PRIME2	- 40 C	+ 150 C	Screw Mount	Si	Tray
	IGBT 模块 PP IHM I Infineon Technologies FF900R12IP4DV FF900R12IP4DV Infineon Technologies 3: ¥6,251.1826 无库存 NRND	制造商零件编号 FF900R12IP4DV Mouser 零件编号 641-FF900R12IP4DV NRND	Infineon Technologies	IGBT 模块 PP IHM I	数据表	无库存	¥6,251.1826 ¥5,469.2678	最低： 3 倍数： 3			IGBT Silicon Modules	Dual	1.2 kV	1.7 V	900 A	400 nA	5.1 kW		- 40 C	+ 150 C		Si	Tray

FF900R12IP4D IGBT 模块

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