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FGA40T65SHD 绝缘栅双极晶体管(IGBT)

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	封装 / 箱体	安装风格	配置	集电极—发射极最大电压 VCEO	集电极—射极饱和电压	栅极/发射极最大电压	在25 C的连续集电极电流	Pd-功率耗散	最小工作温度	最大工作温度	系列	封装
	绝缘栅双极晶体管(IGBT) FS3TIGBT TO3PN 40A 650V FGA40T65SHD onsemi 1: ¥41.0303 62库存量 450预期 2026/12/1 工厂特别订单	制造商零件编号 FGA40T65SHD Mouser 零件编号 512-FGA40T65SHD 工厂特别订单	onsemi	绝缘栅双极晶体管(IGBT) FS3TIGBT TO3PN 40A 650V 了解更多关于onsemi fgafx0n60 igbts 的信息	数据表	62库存量 450预期 2026/12/1	¥41.0303 ¥27.1313 ¥16.046	最低： 1 倍数： 1			Si	TO-3PN	Through Hole	Single	650 V	1.6 V	- 20 V, 20 V	80 A	268 W	- 55 C	+ 175 C	FGA40T65SHD	Tube
	绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT, 650 V, 40 A Field Stop Trench FGA40T65SHDF onsemi 1: ¥40.8608 412库存量寿命结束	制造商零件编号 FGA40T65SHDF Mouser 零件编号 512-FGA40T65SHDF 寿命结束	onsemi	绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT, 650 V, 40 A Field Stop Trench	数据表	412库存量	¥40.8608 ¥27.0522 ¥21.7525 ¥18.1139 查看 ¥16.7918 ¥15.9669	最低： 1 倍数： 1			Si	TO-3PN	Through Hole	Single	650 V	1.45 V	- 20 V, 20 V	80 A	268 W	- 55 C	+ 175 C	FGA40T65SHDF	Tube

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