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FGH75T65SQD 绝缘栅双极晶体管(IGBT)

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	封装 / 箱体	安装风格	配置	集电极—发射极最大电压 VCEO	集电极—射极饱和电压	栅极/发射极最大电压	在25 C的连续集电极电流	Pd-功率耗散	最小工作温度	最大工作温度	系列	封装
	绝缘栅双极晶体管(IGBT) FS4TIGBT TO247 75A 650V onsemi FGH75T65SQD FGH75T65SQD onsemi	制造商零件编号 FGH75T65SQD Mouser 零件编号未分配	onsemi	绝缘栅双极晶体管(IGBT) FS4TIGBT TO247 75A 650V		N/A		无库存，请致电询价															Tube
	绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V/75 FAST IGBT FGH75T65SQDNL4 onsemi 1: ¥88.9197 200库存量	制造商零件编号 FGH75T65SQDNL4 Mouser 零件编号 863-FGH75T65SQDNL4	onsemi	绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V/75 FAST IGBT	数据表	200库存量	¥88.9197 ¥52.6919 ¥44.9175	最低： 1 倍数： 1			Si	TO-247-4	Through Hole	Single	650 V	1.43 V	- 20 V, 20 V	200 A	375 W	- 55 C	+ 175 C	FGH75T65SQDNL4	Tube
	绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V FS4 Trench IGBT FGH75T65SQD-F155 onsemi 1: ¥58.3984 664库存量 1,350在途量	制造商零件编号 FGH75T65SQD-F155 Mouser 零件编号 512-FGH75T65SQD_F155	onsemi	绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V FS4 Trench IGBT 了解更多关于onsemi fairchild field stop igbt transistors 的信息	数据表	664库存量 1,350在途量订单发货日期制造商编号： FGH75T65SQD-F155 库存： 664 可立即发货在途量: 450 预期 2026/11/10 900 预期 2026/12/4 生产周期： 18 周	¥58.3984 ¥33.5836 ¥28.0353 ¥27.798	最低： 1 倍数： 1			Si	TO-247-3	Through Hole	Single	650 V	1.6 V	- 20 V, 20 V	150 A	375 W	- 55 C	+ 175 C	FGH75T65SQD	Tube
	绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V FS4 Trench IGBT FGH75T65SQDTL4 onsemi 1: ¥62.5342 311库存量	制造商零件编号 FGH75T65SQDTL4 Mouser 零件编号 512-FGH75T65SQDTL4	onsemi	绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V FS4 Trench IGBT	数据表	311库存量	¥62.5342 ¥36.2278 ¥30.4422	最低： 1 倍数： 1			Si	TO-247-4	Through Hole	Single	650 V	1.6 V	- 20 V, 20 V	150 A	375 W	- 55 C	+ 175 C	FGH75T65SQDTL4	Tube
	绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 40A FS4 TRENCH IGBT FGH75T65SQDT-F155 onsemi 1: ¥59.0538 395库存量	制造商零件编号 FGH75T65SQDT-F155 Mouser 零件编号 863-FGH75T65SQDTF155	onsemi	绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 40A FS4 TRENCH IGBT	数据表	395库存量	¥59.0538 ¥34.0017 ¥28.4534 ¥28.2048	最低： 1 倍数： 1			Si	TO-247-3	Through Hole	Single	650 V	1.6 V	- 20 V, 20 V	150 A	375 W	- 55 C	+ 175 C	FGH75T65SQDT	Tube