FJP13007 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
配置
最大直流电集电极电流
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—基极电压 VCBO
发射极 - 基极电压 VEBO
集电极—射极饱和电压
Pd-功率耗散
增益带宽产品fT
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
onsemi 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN/8A/400V TO-220
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Si Through Hole TO-220-3 NPN Single 8 A 400 V 700 V 9 V 1 V 80 W 4 MHz - 65 C + 150 C FJP13007 Bulk

onsemi 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Sil Transistor
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Si Through Hole TO-220-3 NPN Single 8 A 400 V 700 V 9 V 3 V 80 W 4 MHz + 150 C FJP13007 Tube

onsemi 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) HV FAST-SWITCHING NPN PWR TRANSISTOR
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Si Through Hole TO-220-3 NPN Single 8 A 400 V 700 V 9 V 3 V 80 W 4 MHz + 150 C FJP13007 Tube

onsemi 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Sil Transistor
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Si Through Hole TO-220-3 NPN Single 8 A 400 V 700 V 9 V 3 V 80 W 4 MHz + 150 C FJP13007 Tube