FJP5554 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
配置
最大直流电集电极电流
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—基极电压 VCBO
发射极 - 基极电压 VEBO
集电极—射极饱和电压
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
onsemi 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) HI-VLTG FAST SWITCH TRANSISTOR
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数据表
Si Through Hole TO-220-3 NPN Single 4 A 400 V 1.05 kV 15 V 70 W - 55 C + 150 C FJP5554 Tube

onsemi 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 40V/5A
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Si Through Hole TO-220-3 NPN Single 4 A 400 V 1.05 kV 15 V 1.5 V 70 W + 150 C FJP5554 Tube