FP10R12W1T4 IGBT 模块

结果: 4
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 产品 配置 集电极—发射极最大电压 VCEO 集电极—射极饱和电压 在25 C的连续集电极电流 栅极—射极漏泄电流 Pd-功率耗散 封装 / 箱体 最小工作温度 最大工作温度 安装风格 技术 封装

Infineon Technologies IGBT 模块 N-CH 1.2KV 20A 237库存量
¥290.8281
¥234.4185
¥212.666
最低: 1
倍数: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.85 V 20 A 400 nA 105 W EASY1B - 40 C + 150 C Screw Mount Si Tray
Infineon Technologies FP10R12W1T4_B29
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 10 A PIM IGBT module 12库存量
¥282.726
¥198.3489
最低: 1
倍数: 1
Si Tray
Infineon Technologies FP10R12W1T4_B3
Infineon Technologies IGBT 模块 IGBT 1200V 10A 37库存量
¥282.726
¥198.3489
最低: 1
倍数: 1
IGBT Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.85 V 20 A 400 nA 105 W - 40 C + 150 C Si Tray
Infineon Technologies FP10R12W1T4_B11
Infineon Technologies IGBT 模块 IGBT 1200V 10A 123库存量
¥308.3657
¥209.5246
¥209.4342
最低: 1
倍数: 1
IGBT Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.85 V 20 A 400 nA 105 W - 40 C + 150 C Si Tray