FP25R12W2T4P IGBT 模块

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 产品 配置 集电极—发射极最大电压 VCEO 集电极—射极饱和电压 在25 C的连续集电极电流 栅极—射极漏泄电流 最小工作温度 最大工作温度 技术 封装
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 25 A PIM IGBT module 6库存量
¥486.4537
¥368.9111
¥347.1586
最低: 1
倍数: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.85 V 25 A 100 nA - 40 C + 150 C Si Tray
Infineon Technologies FP25R12W2T4P
Infineon Technologies IGBT 模块 EASY 不可用
Si Tray