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FP35R12W2T4 IGBT 模块

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	产品	配置	集电极—发射极最大电压 VCEO	集电极—射极饱和电压	在25 C的连续集电极电流	栅极—射极漏泄电流	Pd-功率耗散	封装 / 箱体	最小工作温度	最大工作温度	安装风格	技术	封装
	IGBT 模块 IGBT-MODULE Infineon Technologies FP35R12W2T4 FP35R12W2T4 Infineon Technologies 1: ¥429.8746 26库存量	制造商零件编号 FP35R12W2T4 Mouser 零件编号 641-FP35R12W2T4	Infineon Technologies	IGBT 模块 IGBT-MODULE	数据表	26库存量	¥429.8746 ¥378.2562 ¥333.7568	最低： 1 倍数： 1			IGBT Modules	3-Phase Inverter	1.2 kV	1.85 V	54 A	400 nA	215 W	EASY2B	- 40 C	+ 150 C	Screw Mount	Si	Tray
	IGBT 模块 1200 V, 35 A PIM IGBT module FP35R12W2T4PB11BPSA1 Infineon Technologies 1: ¥472.3965 29库存量	制造商零件编号 FP35R12W2T4PB11BPSA1 Mouser 零件编号 726-FP35R12W2T4PB11B	Infineon Technologies	IGBT 模块 1200 V, 35 A PIM IGBT module	数据表	29库存量	¥472.3965 ¥389.4319 ¥379.1715	最低： 1 倍数： 1			IGBT Silicon Modules	3-Phase Inverter	1.2 kV	1.85 V	35 A	100 nA			- 40 C	+ 150 C		Si	Tray
	IGBT 模块 EASY Infineon Technologies FP35R12W2T4_B11 FP35R12W2T4_B11 Infineon Technologies 1: ¥455.8533 180在途量	制造商零件编号 FP35R12W2T4_B11 Mouser 零件编号 641-FP35R12W2T4_B11	Infineon Technologies	IGBT 模块 EASY	数据表	180在途量订单发货日期制造商编号： FP35R12W2T4_B11 库存： 0 在途量: 60 预期 2027/7/15 120 待定生产周期： 19 周	¥455.8533 ¥364.199	最低： 1 倍数： 1			IGBT Silicon Modules	3-Phase Inverter	1.2 kV	1.85 V	54 A	400 nA	215 W		- 40 C	+ 150 C		Si	Tray
	IGBT 模块 1200 V, 35 A PIM IGBT module FP35R12W2T4PBPSA1 Infineon Technologies 18: ¥391.4998 无库存交货期 19 周	制造商零件编号 FP35R12W2T4PBPSA1 Mouser 零件编号 726-FP35R12W2T4PBPSA	Infineon Technologies	IGBT 模块 1200 V, 35 A PIM IGBT module	数据表	无库存交货期 19 周	¥391.4998 ¥379.1715	最低： 18 倍数： 18			IGBT Silicon Modules	3-Phase Inverter	1.2 kV	1.85 V	35 A	100 nA			- 40 C	+ 150 C		Si	Tray