FQA11N90C MOSFET

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
onsemi MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series
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Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 900 V 11 A 1.4 Ohms 30 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 900 Volt 6 Amp Zener SuperMESH 1,426库存量
¥46.4882
¥23.5718
¥21.5039
¥18.193
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 5.8 A 2 Ohms 30 V 3 V 46.5 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement SuperMESH Tube