FQB19N20C MOSFET

结果: 3
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
onsemi MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level 21,570库存量
16,000预期 2028/2/9
剪切带
¥23.4136
¥15.0516
¥10.3395
¥8.4411
卷轴
¥7.8196
¥7.5484
最低: 1
倍数: 1
最大: 2,400
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-2 N-Channel 1 Channel 200 V 21 A 140 mOhms 20 V 1 V 35 nC - 55 C + 150 C 3.13 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level 9,690库存量
剪切带
¥28.5325
¥18.532
¥12.7351
¥10.6672
卷轴
¥9.8423
¥9.266
最低: 1
倍数: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-2 N-Channel 1 Channel 200 V 19.4 A 150 mOhms 30 V 3 V 40 nC - 55 C + 150 C 3.13 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET 200V N-Channel Advance Q-FET 1,859库存量
2,000预期 2026/11/27
¥22.5774
¥14.4753
¥9.8423
¥8.3507
¥7.4128
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,000
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 19 A 170 mOhms 30 V 2 V 53 nC - 55 C + 150 C 43 W Enhancement QFET Tube