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FQI5N60C MOSFET

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	封装
	MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series FQP8N60C onsemi 1: ¥27.798 458库存量寿命结束	制造商零件编号 FQP8N60C Mouser 零件编号 512-FQP8N60C 寿命结束	onsemi	MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series	数据表	458库存量	¥27.798 ¥18.1139 ¥13.899 ¥11.5825 ¥10.0909	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	7.5 A	1.2 Ohms	30 V	4 V	28 nC	- 55 C	+ 150 C	147 W	Enhancement	Tube
	MOSFET N-CH/600V/5A/QFET FQU5N60CTU onsemi 1: ¥16.4641 112库存量寿命结束	制造商零件编号 FQU5N60CTU Mouser 零件编号 512-FQU5N60CTU 寿命结束	onsemi	MOSFET N-CH/600V/5A/QFET 了解更多关于onsemi fairchild cloud power management 的信息	数据表	112库存量	¥16.4641 ¥10.17 ¥6.667 ¥5.2319 查看 ¥3.9663 ¥3.6273 ¥3.4126	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-251-3	N-Channel	1 Channel	600 V	2.8 A	2 Ohms	30 V	2 V	19 nC	- 55 C	+ 150 C	2.5 W	Enhancement	Tube

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