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FQP12N60C MOSFET

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	商标名	封装
	MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series FQP12N60C onsemi 受限供货情况停产	制造商零件编号 FQP12N60C Mouser 零件编号 512-FQP12N60C 停产	onsemi	MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。	数据表			受限供货情况			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	12 A	650 mOhms	30 V	4 V	48 nC	- 55 C	+ 150 C	225 W	Enhancement		Tube
	MOSFET N-channel 600 V Mdmesh 8A STP10NM60N STMicroelectronics 1: ¥33.4141 64库存量 3,000预期 2027/6/4	制造商零件编号 STP10NM60N Mouser 零件编号 511-STP10NM60N	STMicroelectronics	MOSFET N-channel 600 V Mdmesh 8A 了解更多关于STMicroelectronics stm standard products 的信息	数据表	64库存量 3,000预期 2027/6/4	¥33.4141 ¥16.9613 ¥15.3906 ¥12.5769 ¥12.4865	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	10 A	550 mOhms	25 V	2 V	19 nC	- 55 C	+ 150 C	70 W	Enhancement	MDmesh	Tube

FQP12N60C MOSFET

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