FQPF19N20C MOSFET

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
onsemi MOSFET 200V N-Channel Advance Q-FET 1,859库存量
2,000预期 2026/11/27
¥22.5774
¥14.4753
¥9.8423
¥8.3507
¥7.4128
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,000
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 19 A 170 mOhms 30 V 2 V 53 nC - 55 C + 150 C 43 W Enhancement QFET Tube
STMicroelectronics MOSFET Low charge STripFET 21,100库存量
¥23.9899
¥12.4074
¥9.8423
¥8.9383
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 18 A 125 mOhms 20 V 4 V 28 nC - 55 C + 175 C 90 W Enhancement STripFET Tube