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半导体
分立半导体
晶体管
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FQPF6N80C MOSFET
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Rds On-漏源导通电阻
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
Pd-功率耗散
商标名
onsemi
STMicroelectronics
重置
3 A
5.5 A
≤
≥
重置
2.5 Ohms
3.5 Ohms
≤
≥
重置
3 V
4.5 V
≤
≥
重置
22.5 nC
30 nC
≤
≥
重置
25 W
51 W
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重置
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重置
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Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
FQPF6N80C
onsemi
1:
¥27.2104
178
库存量
寿命结束
制造商零件编号
FQPF6N80C
Mouser 零件编号
512-FQPF6N80C
寿命结束
onsemi
MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
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数据表
178
库存量
1
¥27.2104
10
¥17.6958
100
¥12.1588
500
¥10.0909
1,000
查看
1,000
¥9.4242
2,500
¥8.7688
购买
最低:
1
倍数:
1
详细信息
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
800 V
5.5 A
2.5 Ohms
30 V
3 V
30 nC
- 55 C
+ 150 C
51 W
Enhancement
QFET
Tube
MOSFET N-Ch, 800V-3ohms Zener SuperMESH 3A
STP4NK80ZFP
STMicroelectronics
1:
¥26.8827
1,293
库存量
制造商零件编号
STP4NK80ZFP
Mouser 零件编号
511-STP4NK80ZFP
STMicroelectronics
MOSFET N-Ch, 800V-3ohms Zener SuperMESH 3A
了解更多
关于STMicroelectronics stm standard products
的信息
数据表
1,293
库存量
1
¥26.8827
10
¥12.4865
100
¥10.17
500
¥8.9383
1,000
¥8.8479
购买
最低:
1
倍数:
1
详细信息
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
800 V
3 A
3.5 Ohms
30 V
4.5 V
22.5 nC
- 55 C
+ 150 C
25 W
Enhancement
Tube
MOSFET 800V N-Ch Adv Q-FET C-Series
FQPF6N80CT
onsemi
1:
¥27.7076
681
库存量
寿命结束
制造商零件编号
FQPF6N80CT
Mouser 零件编号
512-FQPF6N80CT
寿命结束
onsemi
MOSFET 800V N-Ch Adv Q-FET C-Series
数据表
681
库存量
1
¥27.7076
10
¥17.9444
100
¥12.4074
500
¥10.4186
1,000
查看
1,000
¥9.5146
2,000
¥9.0174
购买
最低:
1
倍数:
1
详细信息
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
800 V
5.5 A
2.5 Ohms
30 V
3 V
30 nC
- 55 C
+ 150 C
51 W
Enhancement
Tube
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