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RoHS

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FQPF8N60CF MOSFET

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晶体管极性

Vds-漏源极击穿电压

Id-连续漏极电流

Rds On-漏源导通电阻

Vgs - 栅极-源极电压

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	商标名	封装
	MOSFET 60V P-Channel QFET FQPF47P06 onsemi 1: ¥42.3524 7,390库存量	制造商零件编号 FQPF47P06 Mouser 零件编号 512-FQPF47P06	onsemi	MOSFET 60V P-Channel QFET	数据表	7,390库存量	¥42.3524 ¥27.7076 ¥20.679 ¥17.289 ¥16.046	最低： 1 倍数： 1 最大： 1,000			Si	Through Hole	TO-220-3	P-Channel	1 Channel	60 V	30 A	26 mOhms	25 V	4 V	110 nC	- 55 C	+ 175 C	62 W	Enhancement	QFET	Tube
	MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series FQPF3N80C onsemi 1: ¥25.0634 1,481库存量	制造商零件编号 FQPF3N80C Mouser 零件编号 512-FQPF3N80C	onsemi	MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series	数据表	1,481库存量	¥25.0634 ¥16.1251 ¥11.0853 ¥9.0174 ¥8.3507	最低： 1 倍数： 1 最大： 1,000			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	3 A	4.8 Ohms	30 V	3 V	16.5 nC	- 55 C	+ 150 C	39 W	Enhancement	QFET	Tube
	MOSFET 800V N-Channel QFET FQPF2N80 onsemi 1: ¥23.2441 68库存量 1,000预期 2026/12/4	制造商零件编号 FQPF2N80 Mouser 零件编号 512-FQPF2N80	onsemi	MOSFET 800V N-Channel QFET	数据表	68库存量 1,000预期 2026/12/4	¥23.2441 ¥14.9725 ¥10.2604 ¥8.3507 查看 ¥7.7857 ¥7.5145	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	1.5 A	6.3 Ohms	30 V	3 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	35 W	Enhancement	QFET	Tube
	MOSFET 800V N-Ch Adv Q-FET C-Series FQPF6N80CT onsemi 1: ¥27.7076 681库存量寿命结束	制造商零件编号 FQPF6N80CT Mouser 零件编号 512-FQPF6N80CT 寿命结束	onsemi	MOSFET 800V N-Ch Adv Q-FET C-Series	数据表	681库存量	¥27.7076 ¥17.9444 ¥12.4074 ¥10.4186 查看 ¥9.5146 ¥9.0174	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	5.5 A	2.5 Ohms	30 V	3 V	30 nC	- 55 C	+ 150 C	51 W	Enhancement		Tube
	MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series FQPF6N80C onsemi 1: ¥27.2104 178库存量寿命结束	制造商零件编号 FQPF6N80C Mouser 零件编号 512-FQPF6N80C 寿命结束	onsemi	MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series 了解更多关于onsemi fairchild cloud power management 的信息	数据表	178库存量	¥27.2104 ¥17.6958 ¥12.1588 ¥10.0909 查看 ¥9.4242 ¥8.7688	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	5.5 A	2.5 Ohms	30 V	3 V	30 nC	- 55 C	+ 150 C	51 W	Enhancement	QFET	Tube
	MOSFET N-CH/800V/6A/QFET FQPF6N80T onsemi 1: ¥29.5269 254库存量寿命结束	制造商零件编号 FQPF6N80T Mouser 零件编号 512-FQPF6N80T 寿命结束	onsemi	MOSFET N-CH/800V/6A/QFET	数据表	254库存量	¥29.5269 ¥19.2778 ¥13.4809 ¥11.413 ¥9.7632	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	3.3 A	1.95 Ohms	30 V	3 V	31 nC	- 55 C	+ 150 C	51 W	Enhancement	QFET	Tube
	MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series FQP8N60C onsemi 1: ¥27.798 458库存量寿命结束	制造商零件编号 FQP8N60C Mouser 零件编号 512-FQP8N60C 寿命结束	onsemi	MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series	数据表	458库存量	¥27.798 ¥18.1139 ¥13.899 ¥11.5825 ¥10.0909	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	7.5 A	1.2 Ohms	30 V	4 V	28 nC	- 55 C	+ 150 C	147 W	Enhancement		Tube