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RoHS

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FQT7N10 MOSFET

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安装风格

封装 / 箱体

Id-连续漏极电流

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Vgs - 栅极-源极电压

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	商标名	封装
	MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level FQD13N10LTM onsemi 1: ¥12.2379 225,053库存量	制造商零件编号 FQD13N10LTM Mouser 零件编号 512-FQD13N10LTM	onsemi	MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level	数据表	225,053库存量	剪切带 ¥12.2379 ¥7.5145 ¥4.9494 ¥3.8872 ¥3.3222 卷轴 ¥3.0058 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1 最大： 2,500 : 2,500			Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	100 V	10 A	180 mOhms	20 V	2 V	8.7 nC	- 55 C	+ 150 C	2.5 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
	MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level FQD19N10LTM onsemi 1: ¥15.8765 29,975库存量	制造商零件编号 FQD19N10LTM Mouser 零件编号 512-FQD19N10LTM	onsemi	MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level	数据表	29,975库存量	剪切带 ¥15.8765 ¥9.9214 ¥6.5314 ¥5.1867 ¥4.6104 卷轴 ¥4.2149 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1 最大： 2,500 : 2,500			Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	100 V	15.6 A	100 mOhms	20 V	1 V	18 nC	- 55 C	+ 150 C	2.5 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
	MOSFET 100V N-Channel QFET FQA70N10 onsemi 1: ¥40.115 1,412库存量	制造商零件编号 FQA70N10 Mouser 零件编号 512-FQA70N10	onsemi	MOSFET 100V N-Channel QFET	数据表	1,412库存量	¥40.115 ¥26.3064 ¥19.6055	最低： 1 倍数： 1 最大： 450			Si	Through Hole	TO-3PN-3	N-Channel	1 Channel	100 V	70 A	25 mOhms	25 V	2 V	110 nC	- 55 C	+ 175 C	214 W	Enhancement	QFET	Tube
	MOSFET 100V N-Channel QFET FQA140N10 onsemi 1: ¥80.6481 3,091库存量	制造商零件编号 FQA140N10 Mouser 零件编号 512-FQA140N10	onsemi	MOSFET 100V N-Channel QFET	数据表	3,091库存量	¥80.6481 ¥55.0875 ¥45.4147	最低： 1 倍数： 1 最大： 450			Si	Through Hole	TO-3PN-3	N-Channel	1 Channel	100 V	140 A	10 mOhms	25 V	2 V	285 nC	- 55 C	+ 175 C	375 W	Enhancement	QFET	Tube
	MOSFET 100V N-Channel QFET FQP55N10 onsemi 1: ¥26.7132 311库存量寿命结束	制造商零件编号 FQP55N10 Mouser 零件编号 512-FQP55N10 寿命结束	onsemi	MOSFET 100V N-Channel QFET 了解更多关于onsemi fairchild cloud power management 的信息	数据表	311库存量	¥26.7132 ¥17.3681 ¥11.9893 ¥10.0118 查看 ¥9.3451 ¥8.5993	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	100 V	55 A	26 mOhms	25 V	2 V	98 nC	- 55 C	+ 175 C	155 W	Enhancement	QFET	Tube