FQU1N60C MOSFET

结果: 6
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
onsemi MOSFET 600V N-Channel QFET 588库存量
¥86.2755
¥60.9635
¥50.7822
最低: 1
倍数: 1
最大: 450
Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 23.5 A 240 mOhms 30 V 3 V 145 nC - 55 C + 150 C 310 W Enhancement QFET Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO251 600V 1.4A N-CH MOSFET 1,989库存量
3,000在途量
¥18.6111
¥8.4411
¥7.5823
¥6.3732
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 1.4 A 7 Ohms 30 V 4 V 14 nC - 55 C + 150 C 36 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600 Volt 1.0 A 275库存量
3,000预期 2027/4/30
¥14.4753
¥6.4297
¥5.7517
¥4.8025
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 600 V 1 A 8 Ohms 30 V 2.25 V 7 nC - 55 C + 150 C 3 W Enhancement Tube
onsemi MOSFET 800V N-Ch Adv Q-FET C-Series 681库存量
¥27.7076
¥17.9444
¥12.4074
¥10.4186
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 5.5 A 2.5 Ohms 30 V 3 V 30 nC - 55 C + 150 C 51 W Enhancement Tube

onsemi MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series 458库存量
¥27.798
¥18.1139
¥13.899
¥11.5825
¥10.0909
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7.5 A 1.2 Ohms 30 V 4 V 28 nC - 55 C + 150 C 147 W Enhancement Tube
onsemi MOSFET N-CH/600V/5A/QFET 112库存量
¥16.4641
¥10.17
¥6.667
¥5.2319
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 600 V 2.8 A 2 Ohms 30 V 2 V 19 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Tube