FQU2N90TU MOSFET

结果: 3
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
onsemi MOSFET 900V N-Channel QFET
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Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 900 V 1.7 A 7.2 Ohms 30 V - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Tube
onsemi MOSFET 900V 1.6A 7.8Ohm N-Channel 4,288库存量
¥18.0348
¥11.413
¥7.6953
¥6.2376
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 900 V 1.7 A 7.2 Ohms 30 V 3 V 15 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement QFET Tube
onsemi MOSFET 900V 1.7A 7.2Ohm N-Channel 1,251库存量
¥18.8597
¥11.9893
¥8.0682
¥6.5427
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 900 V 1.7 A 7.2 Ohms 30 V 3 V 15 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Tube