FR900R12IP4D IGBT 模块

结果: 4
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 产品 配置 集电极—发射极最大电压 VCEO 集电极—射极饱和电压 在25 C的连续集电极电流 栅极—射极漏泄电流 封装 / 箱体 最小工作温度 最大工作温度 安装风格 技术 封装
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 900 A dual IGBT module 2库存量
¥10,520.978
最低: 1
倍数: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.7 V 900 A 400 nA Module - 40 C + 150 C Screw Mount Si Tray
Infineon Technologies DF900R12IP4D
Infineon Technologies IGBT 模块 IGBT MODULES 1200V 900A 无库存交货期 39 周
¥5,150.4722
¥4,931.772
最低: 3
倍数: 3
IGBT Modules Si Tray
Infineon Technologies DF900R12IP4DV
Infineon Technologies IGBT 模块 PP IHM I 无库存
¥5,250.8953
¥4,442.7645
最低: 3
倍数: 3
Si Tray
Infineon Technologies FD900R12IP4D
Infineon Technologies IGBT 模块 IGBT 1200V 900A 无库存交货期 39 周
¥4,957.7507
最低: 3
倍数: 3
IGBT Modules Si Tray