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FS660R08A6P2FB IGBT 模块

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	产品	配置	集电极—发射极最大电压 VCEO	集电极—射极饱和电压	在25 C的连续集电极电流	栅极—射极漏泄电流	Pd-功率耗散	最小工作温度	最大工作温度	安装风格	技术	封装
	IGBT 模块 HYBRID PACK DRIVE G1 SI Infineon Technologies FS660R08A6P2FB FS660R08A6P2FB Infineon Technologies	制造商零件编号 FS660R08A6P2FB Mouser 零件编号未分配	Infineon Technologies	IGBT 模块 HYBRID PACK DRIVE G1 SI	数据表	N/A		无库存，请致电询价			Hybrid IGBT Modules										Si	Tray
	IGBT 模块 HYBRID PACK DRIVE G1 SI FS660R08A6P2FBBPSA1 Infineon Technologies 1: ¥2,656.0989 37库存量	制造商零件编号 FS660R08A6P2FBBPSA1 Mouser 零件编号 726-FS660R08A6P2FBBP	Infineon Technologies	IGBT 模块 HYBRID PACK DRIVE G1 SI 了解更多关于Infineon Technologies infineon 750v hybridpack modules 的信息	数据表	37库存量	¥2,656.0989	最低： 1 倍数： 1			Hybrid IGBT Modules	6-Pack	750 V	1.1 V	450 A	400 nA	1.053 kW	- 40 C	+ 150 C	Screw Mount	Si	Tray

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