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FZ1200R12HE4 IGBT 模块

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	产品	配置	集电极—发射极最大电压 VCEO	集电极—射极饱和电压	在25 C的连续集电极电流	栅极—射极漏泄电流	Pd-功率耗散	最小工作温度	最大工作温度	安装风格	技术	封装
	IGBT 模块 1200 V, 1200 A single switch IGBT module Infineon Technologies FZ1200R12HE4 FZ1200R12HE4 Infineon Technologies 1: ¥3,544.5501 12在途量	制造商零件编号 FZ1200R12HE4 Mouser 零件编号 641-FZ1200R12HE4	Infineon Technologies	IGBT 模块 1200 V, 1200 A single switch IGBT module	数据表	12在途量订单发货日期制造商编号： FZ1200R12HE4 库存： 0 在途量: 8 预期 2026/10/22 4 预期 2027/1/28 生产周期： 14 周	¥3,544.5501	最低： 1 倍数： 1			IGBT Silicon Modules	Single	1.2 kV	1.75 V	1.825 kA	400 nA	7.15 kW	- 40 C	+ 150 C		Si	Tray
	IGBT 模块 1200 V, 1200 A single switch IGBT module FZ1200R12HE4PHPSA1 Infineon Technologies 3: ¥3,878.0583 无库存交货期 14 周	制造商零件编号 FZ1200R12HE4PHPSA1 Mouser 零件编号 726-FZ1200R12HE4PHPS	Infineon Technologies	IGBT 模块 1200 V, 1200 A single switch IGBT module	数据表	无库存交货期 14 周	¥3,878.0583 ¥3,836.5308	最低： 3 倍数： 3				Single	1.2 kV	1.75 V	1.825 kA			- 40 C	+ 150 C	Screw Mount	Si	Tray

FZ1200R12HE4 IGBT 模块

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