GT20J341,S4X(S

Name: Toshiba GT20J341,S4X(S
Brand: Toshiba
SKU: 757-GT20J341S4XS
Price: 25.77 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

757-GT20J341S4XS

制造商编号：

GT20J341,S4X(S

制造商：

Toshiba

说明：

绝缘栅双极晶体管(IGBT) X35 DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-220SIS MOQ=50 V=1.5 IC=20A

数据表:

GT20J341,S4X(S 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Toshiba
产品种类:	绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:
技术:	Si
封装 / 箱体:	TO-220SIS-3
安装风格:	Through Hole
配置:	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:	600 V
集电极—射极饱和电压:	1.5 V
栅极/发射极最大电压:	- 25 V, 25 V
在25 C的连续集电极电流:	20 A
Pd-功率耗散:	45 W
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
系列:	GT20J341
封装:	Tube
商标:	Toshiba
集电极最大连续电流 Ic:	80 A
栅极—射极漏泄电流:	100 nA
产品类型:	IGBTs
工厂包装数量:	50
子类别:	Transistors

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数据表

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合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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¥-.--

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数量	单价	总价
	¥29.1201	¥29.12
	¥14.6448	¥146.45
	¥13.1532	¥1,315.32
	¥10.6672	¥5,333.60
	¥10.0118	¥10,011.80

GT20J341,S4X(S

制造商： Toshiba

说明： 绝缘栅双极晶体管(IGBT) X35 DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-220SIS MOQ=50 V=1.5 IC=20A

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