GT30J121(Q)

Toshiba
757-GT30J121(Q)
GT30J121(Q)

制造商:

说明:
绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V/30A DIS

ECAD模型:
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产品属性 属性值 选择属性
Toshiba
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:  
- 55 C
+ 150 C
GT30J121
Tube
商标: Toshiba
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 2 V
配置: Single
在25 C的连续集电极电流: 30 A
集电极最大连续电流 Ic: 30 A
高度: 19 mm
长度: 15.9 mm
栅极/发射极最大电压: - 20 V, 20 V
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-3P-3
Pd-功率耗散: 170 W
产品类型: IGBTs
工厂包装数量: 100
子类别: Transistors
技术: Si
宽度: 4.8 mm
单位重量: 6.756 g
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已选择的属性: 0

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合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
日本
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时,国家/地区可能会发生变化。

库存量: 131

库存:
131 可立即发货
生产周期:
3 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥38.2957 ¥38.30
¥25.312 ¥253.12
¥19.8541 ¥1,985.41
¥14.6448 ¥7,322.40
¥14.4753 ¥14,475.30