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GT40WR21 绝缘栅双极晶体管(IGBT)

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	封装 / 箱体	安装风格	配置	集电极—发射极最大电压 VCEO	集电极—射极饱和电压	栅极/发射极最大电压	在25 C的连续集电极电流	Pd-功率耗散	最小工作温度	最大工作温度	系列	封装
	绝缘栅双极晶体管(IGBT) Toshiba GT40WR21 GT40WR21 Toshiba	制造商零件编号 GT40WR21 Mouser 零件编号未分配	Toshiba	绝缘栅双极晶体管(IGBT)		N/A		无库存，请致电询价			Si	TO-3PN-3	Through Hole	Single	1.8 kV	2.9 V	- 25 V, 25 V	40 A	375 W	- 55 C	+ 175 C	GT40WR21
	绝缘栅双极晶体管(IGBT) X35 DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-3PN(OS) V=1800 IC=40A GT40WR21,Q Toshiba 1: ¥102.152 40库存量	制造商零件编号 GT40WR21,Q Mouser 零件编号 757-GT40WR21Q	Toshiba	绝缘栅双极晶体管(IGBT) X35 DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-3PN(OS) V=1800 IC=40A	数据表	40库存量	¥102.152 ¥70.8849 ¥66.9186 ¥63.0314 ¥56.0028	最低： 1 倍数： 1			Si	TO-3PN-3	Through Hole	Single	1.8 kV	2.9 V	- 25 V, 25 V	40 A	375 W	- 55 C	+ 175 C	GT40WR21	Tray

GT40WR21 绝缘栅双极晶体管(IGBT)

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