GT50J341 绝缘栅双极晶体管(IGBT)

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数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
Toshiba GT50J341
Toshiba 绝缘栅双极晶体管(IGBT) N/A
Si TO-3PN-3 Through Hole Single 600 V 1.6 V - 25 V, 25 V 50 A 200 W - 55 C + 175 C GT50J341
Toshiba 绝缘栅双极晶体管(IGBT) X35 Pb-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN Ic=50A Vces=600V
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Si TO-3PN-3 Through Hole Single 600 V 1.6 V - 25 V, 25 V 50 A 200 W - 55 C + 175 C GT50J341 Tray