H11AG1M 晶体管输出光电耦合器

结果: 5
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数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
通道数量
绝缘电压
输出类型
电流传输比（最小值）
If - 正向电流
Vf - 正向电压
最大集电极/发射极电压
最大集电极电流
最大集电极/发射极饱和电压
Vr - 反向电压
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
onsemi 晶体管输出光电耦合器 PHOTOTRANSISTOR
数据表
4,934库存量
¥14.9725
¥10.6672
¥8.0569
¥6.893
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最低： 1
倍数： 1
Through Hole PDIP-6 1 Channel 4170 Vrms NPN Phototransistor 300 % 50 mA 1.5 V 30 V 50 mA 400 mV 6 V 225 mW - 40 C + 100 C H11AG1M Bulk
onsemi 晶体管输出光电耦合器 LC Phototransistor
数据表
744库存量
¥13.56
¥9.6728
¥7.2998
¥6.2376
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最低： 1
倍数： 1
SMD/SMT SMD-DIP-6 1 Channel 4170 Vrms NPN Phototransistor 300 % 50 mA 1.5 V 30 V 50 mA 400 mV 6 V 225 mW - 40 C + 100 C H11AG1M Bulk
onsemi 晶体管输出光电耦合器 LC PHOTOTRANSISTOR
数据表
525库存量
¥16.9613
¥12.0797
¥9.1869
¥7.9439
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最低： 1
倍数： 1
SMD/SMT SMD-DIP-6 1 Channel 4170 Vrms NPN Phototransistor 300 % 50 mA 1.5 V 30 V 50 mA 400 mV 6 V 225 mW - 40 C + 100 C H11AG1M Bulk
onsemi 晶体管输出光电耦合器 LC Phototransistor
数据表
无库存交货期 19 周
¥12.1588
¥8.5993
¥6.4184
¥5.3562
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最低： 1
倍数： 1
Through Hole PDIP-6 1 Channel 7500 Vrms NPN Phototransistor 50 mA 1.5 V 30 V 50 mA 400 mV 6 V 260 mW - 40 C + 100 C H11AG1M Bulk
onsemi 晶体管输出光电耦合器 LC Phototransistor
数据表
824库存量
¥11.9102
¥8.4411
¥6.2489
¥5.4353
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最低： 1
倍数： 1
Through Hole PDIP-6 1 Channel 4170 Vrms NPN Phototransistor 300 % 50 mA 1.5 V 30 V 50 mA 400 mV 6 V 225 mW - 40 C + 100 C H11AG1M Bulk