HN4B102J 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

结果: 2
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数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
配置
最大直流电集电极电流
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—基极电压 VCBO
发射极 - 基极电压 VEBO
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
Toshiba 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) N/A
SMD/SMT SOT-25-5 NPN, PNP Dual 8 A 30 V 30 V, 60 V 7 V - 55 C + 150 C HN4B102
Toshiba 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) X35 Pb-F POWER TRANSISTOR SMV MOQ=3000 V=30V F=1MHZ
数据表
2,999预期 2026/10/23
剪切带
¥9.0965
¥5.5935
¥3.6725
¥2.8702
卷轴
¥2.3391
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最低： 1
倍数： 1
: 3,000
SMD/SMT SOT-25-5 NPN, PNP Dual 8 A 30 V 30 V, 60 V 7 V 1.1 W - 55 C + 150 C HN4B102 Reel, Cut Tape, MouseReel