HP8K24TB

Name: ROHM Semiconductor HP8K24TB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-HP8K24TB
Price: 17.28 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

755-HP8K24TB

制造商编号：

HP8K24TB

制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

MOSFET Transistor, 30V Nch+Nch Middle Power MOSFET

数据表:

HP8K24TB 数据表

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ROHM Semiconductor
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	HSOP-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	2 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	30 V
Id-连续漏极电流:	27 A, 80 A
Rds On-漏源导通电阻:	8.8 mOhms, 3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.5 V
Qg-栅极电荷:	10 nC, 36 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	22 W, 31 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	ROHM Semiconductor
配置:	Dual
下降时间:	3.4 ns, 19 ns
正向跨导 - 最小值:	10 S, 27 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	4.5 ns, 12 ns
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	2 N-Channel
典型关闭延迟时间:	25.5 ns, 59 ns
典型接通延迟时间:	9.6 ns, 20 ns
零件号别名:	HP8K24
单位重量:	771.020 mg

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Specification Sheets

Technical Resources

Test/Quality Data

REACH Regulation (PDF)

RoHS (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 泰国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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